ARM与不同位宽存储器的地址线错位接口

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文章关键词:710ss公海赌,地址写入线

  ARM是32位,地址空间是2的32次幂,4G地址空间。所有的外设(FLASH,RAM,SD卡等等)都映射到这4G的空间上。比如大部分ARM7都把RAM映射到0x40000000,所以对RAM的操作就在0X40000000开始的地址上。FLASH从0X0开始。使用FLASH还要考虑地址重映射,就是选择片内FLASH或片外FLASH。

  32位的FLASH,FLASH的A0要接ARM的A2,因为32位地址表示4个字节,每次要跳4个字节的线不变化

  16位的FLASH,FLASH的A0要接ARM的A1,因为16位地址表示2个字节,每次要跳2个字节的线位的FLASH,FLASH的A0要接ARM的A0,因为8位地址表示1个字节,每次要跳1个字节的线开始才变化。

  对于 16位的FLASH ,我们可以这样认为:16位存储器的设计者将低位A[0]省掉了,我们只要读取一次就可以得到两个字节,读取的这个地址对应于ARM发出的地址的A[21..1],即实际上是存储器需要的偶地址(偶地址是针对ARM发出的地址而言的)。

  WE:WRITE EABLE 写入使能CE:chip EABLE 片选ALE:地址锁存使能(ADRESS LOCK EABLE)BLS:字节选择信号重点看 WE BLS 的关系在LPC2200系列ARM中,为了适应外部存储器组的宽度和类型,EMC提供了一组字节选择信号,要实现这些功能,需要对相应存储器配置寄存器中的RBLE位进行设定。

  对外部存储器组进行读访问时,RBLE位决定BLSn信号是否有效。外部存储器的接口取决于存储器组的宽度(32位、16位、8位,由BCFG的MW位决定)。而且,存储器芯片的选择也需要对BCFG寄存器的RBLE位进行适当的设置。选择8位或者不按字节区分的的存储器的时候,RBLE位应该为0,在读访问期间EMC将BLS[3:0]拉高。当存储器组为含有字节选择选择输入的16位或32位存储器组成的时候,RBLE位应该为1,在读访问期间EMC将BLS[3:0]拉低。注意这里没有对RBLE为0或1的时候,写访问期间BLS[3:0]引脚的电平作出交代。以16位宽的存储器组连接16位的存储器芯片为例(这种情况比较常见,周立功的easyarm2200就是这样的)。很显然这里RBLE位应该为1。BLS[1]、BLS[0]分别接到了存储器芯片的UB、LB脚。作为16位的存储器芯片,要取得16位宽度的字,无论是读访问还是写访问,UB和LB位都必须为低电平0。作为16位的ram,程序中不可避免的存在对它的写操作。程序能正常运行就说明对它的写操作是成功的。可以进一步推断在写访问期间,BLS[1] 、BLS[0]是低电平的。当存储器组为含有字节选择选择输入的16位或32位存储器组成的时候,RBLE位应该为1,在读访问期间EMC将BLS[3:0]拉低。在写访问周期EMC同样是将BLS[3:0]拉低。

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